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本发明涉及一种Si@MXene@MOFs复合材料及制备方法和应用。本发明的复合材料中，通过层状MXene材料提供了足够的应力及空间来缓解硅体积膨胀造成的塌陷，并防止此类塌陷后续影响到电化学性能的容量衰减；通过使MOFs生长在Si@MXene表面形成三维框架结构包覆住Si@MXene，提供了足够的应力并且能够限制硅的膨胀，使硅发挥出高容量及稳定性。本发明的制备方法是低能耗、制备过程容易、可产业化生产的制备流程，给产业化相关材料提供一定的参考意义。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117012920 A
(43)申请公布日 2023.11.07
(21)申请号 202310802038.X H01M 10/052 (2010.01)
(22)申请日 2023.06
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