北京交通大学模拟电子技术复习提纲及习题.docVIP

电子技术基础（模拟部分）复习提纲 本复习提纲为本课程基本内容总结，是对学习本课程的基本要求。 第 2、3、4、5 章 基本半导体器件及放大电路分析 第一部分：基本半导体器件（二极管、三极管和场效应管） 介绍了基本半导体器件，即二极管、三极管（BJT）和场效应管（重点是MOS 管）。通过对基本半导体器件物理结构的分析，介绍了三种器件的基本电路特性（特征方程）、电路模型（等效电路）和工程参数。要求掌握： 1．半导体器件的基本电学特征和基本类型（N型和P型）。 2．半导体器件中的电流控制方式（电流控制方式和电压控制方式），二极管、BJT、MOS 管的基本方程。 3． 二极管、三极管和MOS 管的基本结构和特征，包括输入特性、输出特性，电流控制特征（特征方程）指出了这三种器件的非线性特征，以及静态工作点的作用。 4．低频、小信号的基本概念。 5．线性化处理后的三极管和MOS 管的等效电路模型（交流等效电路）。 6．饱和与截止、击穿等基本现象及其物理概念。 7．三种器件的基本工程参数：β、gm、最大允许电流、最高工作电压、最高工作频率、反向饱和电流等控制参数等。 8．能够独立完成课后例题和习题。 第二部分：基本放大电路 基本放大电路是所有半导体电路的基础，通过对放大电路的学习与讨论，可以建立电子线路分析的基本概念，掌握基本概念的应用方法，学习电子线路分析的基本方法。严格的讲，半导体器件的分析