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- 2023-11-11 发布于四川
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本发明公开了一种硅负极极片制备方法,包括以下步骤:将多孔碳与硅纳米颗粒进行预先混合,得到混合物A;将石墨类活性材料、导电剂、粘结剂、分散剂和聚合单体进行混合搅拌,得到石墨材料层浆料;将混合物A、导电剂、粘结剂、分散剂和聚合单体进行混合搅拌,得到硅负极材料层浆料;将石墨材料层浆料涂敷在集流体铜箔上,形成石墨材料层;将硅负极材料层浆料涂敷在石墨材料层,形成硅碳负极材料层;对硅碳负极材料层进行烘烤,得到硅负极极片。一种硅负极极片,包括集流体、石墨材料层和硅碳负极材料层。本发明的负极极片的面密度及压实密
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117038943 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202311008378.1
(22)申请日 2023.08.10
(71)申请人 万向一二三股份公司
地址 310
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