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本发明提供一种具有强极化异质结沟道的耿氏二极管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该耿氏二极管包括衬底、沉积于衬底上的缓冲层、至少一组沉积于缓冲层上的异质结沟道、阴极和阳极；每组异质结沟道包括沟道层和势垒层，势垒层沉积于沟道层表面；沟道层为非故意掺杂的GaN层，势垒层为非故意掺杂的ε‑Ga2O3层或ScAlN层或AlxGa1‑xN层(0＜x＜1)；沟道层和势垒层界面处通过极化产生二维电子气；异质结沟道相对的两侧分别刻蚀有再生长区域，每个再生长区域的刻蚀深度深至缓冲层；阴极和阳极分别沉积于两个再
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117042589 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202310937889.5
(22)申请日 2023.07.27
(71)申请人 湖北九峰山实验室
地址 4300
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