MOSFET结构及工艺方法.pdfVIP

下载本文档

1
0
约1.23万字
约 11页
2023-11-11 发布于四川
举报
版权申诉

MOSFET结构及工艺方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种MOSFET及工艺方法，在半导体衬底的外延层中形成沟槽，沟槽内下部保留一定厚度的第二氧化硅；进行光刻及离子注入形成沟道区；进行光刻及离子注入形成阱区、阱区引出区、源区；栅极多晶硅呈T字型；本发明在平面元胞结构的JFET区域中引入沟槽，沟槽底部引入厚的氧化硅结构，厚的氧化硅结构能降低沟槽区域Gate氧化硅的电场强度，降低器件Cgd，降低比导通电阻，因此提高器件优值(FOM＝1/(Rspa*Qgd))，同时该结构也降低了Poly下Gate氧化硅栅氧电场，提高SiCMOSFET器件的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117038456 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202310953370.6 (22)申请日 2023.07.31 (71)申请人上海澜芯半导体有限公司地址 2