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半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-11-11 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

    本申请提供一种半导体器件及其制备方法，包括载板、第一芯片、第二芯片、连接线以及封装层，载板具有第一区域和围绕第一区域设置的第二区域；第一芯片和第二芯片依次层叠设置于载板的第一区域上，第一芯片以及第二芯片具有第一焊盘、第二焊盘、再分布层以及第一绝缘层，自第一芯片朝向载板的方向上，第二焊盘的投影面积大于第一焊盘的投影面积，第一绝缘层呈环状；连接线的一端形成的一焊点金属焊球与位于第二区域的载板连接，连接线的另一端形成的二焊点鱼尾与第二焊盘连接，位于第二焊盘上的连接线到第二焊盘远离载板的表面之间的距离与

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117038592 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202311011358.X (22)申请日 2023.08.10 (71)申请人 珠海市杰理科技股

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