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本发明涉及半导体功率器件技术领域，具体为一种功率器件的封装结构，包括TO功率器件本体，所述TO功率器件本体主要由基板以及塑封壳体构成，所述塑封壳体设置于基板上，且所述塑封壳体和基板之间设置有芯片，还包括：绝缘件，所述绝缘件设置于所述芯片和所述基板之间；导热件，所述导热件设置于所述芯片上；定位件，所述定位件设置于所述基板上；防护件，所述防护件设置于所述塑封壳体和基板上。本发明通过设置陶瓷覆铜板，其能使TO功率器件具有可靠的绝缘性，使得TO功率器件使用起来更加安全、方便；同时设置有控制极铜桥、阴极铜
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117038612 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202311296601.7 H01B 17/56 (2006.01)
(22)申请日 2023.10.
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