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- 2023-11-11 发布于四川
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本申请公开了一种衬底及其制备方法。本申请的衬底制备方法包括以下步骤：提供第一衬底和第二衬底；将第一衬底与第二衬底对准；在第一环境气压P1下，对第一衬底背离所述第二衬底的一面施加第一键合力F1；在第二环境气压P2下，继续对第一衬底背离所述第二衬底的一面施加第二键合力F2，使第一衬底与第二衬底键合；其中，第一环境气压P1低于第二环境气压P2。本申请通过改变键合条件，降低了衬底表面缺陷。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117038479 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202311065240.5
(22)申请日 2023.08.22
(71)申请人 中环领先半导体材料有限公司
地
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