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碲镉汞红外探测器的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-11-11 发布于四川
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碲镉汞红外探测器的制备方法.pdf

    本发明提供了一种碲镉汞红外探测器的制备方法，包括：提供碲镉汞半导体基底；在碲镉汞半导体基底的表面形成第一钝化层；在第一钝化层上形成网格形式的金属层，金属层的网格内露出第一钝化层的表面；在第一钝化层和金属层上均形成第二钝化层；依次刻蚀第二钝化层和第一钝化层，以形成贯穿第二钝化层和第一钝化层的通孔，通孔内露出碲镉汞半导体基底的表面，通孔位于金属层的网格内；依次在通孔内形成金属电极和铟柱，金属电极将铟柱和碲镉汞半导体基底与第一钝化层以及第二钝化层均隔开；将金属层与提供偏压的电源连通，以消除所述第一钝化

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117038790 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202311020976.0 (22)申请日 2023.08.14 (71)申请人 浙江珏芯微电子有

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