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GaN HEMT非线性模型研究及MMIC电路设计 GaN HEMT非线性模型研究及MMIC电路设计 随着无线通信技术的快速发展，对高频器件的需求日益增加。GaN HEMT（Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor）因其出色的高频特性，成为了高功率射频应用中的热门选择。然而，GaN HEMT器件的非线性特性对其在射频电路设计中的应用带来了一些挑战。针对这一问题，本文将进行GaN HEMT非线性模型的研究，并结合MMIC（Monolithic Microwave Integrated Circuit）电路设计的相关内容，探讨