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三维拓扑绝缘体bi2e3的拓扑相变机制 近年来，发现了一种新的测量值，这种状态涉及即使是旋转轴的作用，而不是能空间的绝缘体。表面上是非线性带，与自旋极化呈线性色散关系的金属状态。这种表面态受拓扑保护,具有很强的抗外界干扰能力,即使体系中存在一定的缺陷、杂质或其它退相干因素,表面态也能很好保持且不会出现背散射现象。拓扑绝缘体奇特的物理性质使其在低损耗自旋电子学器件以及量子计算机等领域有着广泛的应用前景,也将使实验观测到科学家们一直寻找的Axion、Majorana费米子、磁单极子和量子化的反常霍尔效应成为可能。因此,拓扑绝缘体的研究迅速引起了凝聚态物理及材料等领域的极大关注。 拓扑保护的边缘态首先在碲化汞/碲化镉(HgTe/CdTe)量子阱中被预言,后由实验证实。首先被理论预言且被实验验证的三维拓扑绝缘体是二元化合物Bi1-xSbx合金,随后被预言并观察到在碲化铋(Bi2Te3)、硒化铋(Bi2Se3)、碲化锑(Sb2Te3)中存在拓扑保护的表面量子态。其中Bi2Te3和Bi2Se3这两种材料得到了特别的研究关注,由于它们拥有一个简单的非平庸二维狄拉克费米子表面态,并且具有较大的能隙(分别为0.3 eV和0.165 eV),远超出室温的能量(0.026 eV),有可能实现室温低能耗的自旋电子器件。本文采用密度泛函理论框架下的第一性原理方法,研究三维拓扑绝缘体Bi2Te3的拓扑相变机