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半导体结构的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-11-15 发布于四川
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半导体结构的制备方法.pdf

    本发明提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括：在一基底上形成一介电层；在该介电层中形成一开口；形成与该开口共形的一第一衬垫；在该开口中形成一多孔层并被该第一衬垫包围；形成穿透该介电层的一导电通孔；以及在该介电层上形成一导电垫，其中该导电垫覆盖该多孔层及该导电通孔。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117059566 A (43)申请公布日 2023.11.14 (21)申请号 202310247508.0 (22)申请日 2023.03.15 (30)优先权数据

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