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本发明提供了一种低探测盲区雪崩二极管传感器，包括制备于传感器芯片上的SPAD像元二维阵列，所述SPAD像元二维阵列包括：至少两个连续排布的SPAD像元构成的像元排布区；用于集中摆放多个SPAD像元控制检测电路的AFE集中摆放区，所述AFE集中摆放区包括控制检测电路摆放区域和围绕所述控制检测电路摆放区域设置的隔离区域；其中，所述像元排布区和AFE集中摆放区在阵列内周期性交替排布，且相邻AFE集中摆放区域的空间周期大于两个相邻像元中心的间距。本发明的雪崩二极管传感器，通过对SPAD像元和控制检测电路
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117059632 A
(43)申请公布日 2023.11.14
(21)申请号 202210484629.2
(22)申请日 2022.05.05
(71)申请人 浙桂（杭州）半导体科技有限责任公
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