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本公开涉及一种干法蚀刻组件与干法蚀刻机台,一方面,能避免蚀刻时间过长而导致的晶边变薄,在后续制程中有碎片风险;另一方面,由于遮挡环的上表面包括由内至外依次相连的第一面、第二面与第三面,第二面与参考面呈夹角设置,且沿着轴线的方向上,遮挡环的上表面由外至内呈靠近于静电卡盘的趋势,这样能改变制程腔室内部的射频边缘电场强度,以及能影响待蚀刻基板的边缘部位处的等离子体所受到的电场力与流场力,并能实现待蚀刻基板的边缘部位处的等离子体以尽量垂直于待蚀刻基板表面的方向轰击待蚀刻基板的表面,进而起到改善待蚀刻基板
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117059463 A
(43)申请公布日 2023.11.14
(21)申请号 202210484720.4
(22)申请日 2022.05.06
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 23
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