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本方案公开了一种自支撑多晶金刚石制备方法，该方法包括在传统金刚石的生长衬底的生长面，逐层转移多层石墨烯薄膜，制备成含中间层的生长衬底；在含中间层的生长衬底表面，生长制备多晶金刚石片；多晶金刚石片生长完成后，降温取出，通过纯机械法辅助剥离金刚石片，剥离金刚石后的生长衬底可以重复使用。该方法可高质量生长多晶金刚石，解决了多晶金刚石生长过程中出现裂纹，生长完成后因剥离衬底产生的污染及高成本，工序多，时间长和资源浪费等问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117051475 A
(43)申请公布日 2023.11.14
(21)申请号 202210490046.0
(22)申请日 2022.05.07
(71)申请人 常州第六元素半导体有限公司
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