《半导体物理学》【ch06】pn 结 教学课件.pptxVIP

第六章半导体物理学pn结 集成电路科学与工程系列教材 pn 结导入前面几章中分别研究了n型及p型半导体中载流子的浓度和运动情况，认识了体内杂质分布均匀的半导体在热平衡状态和非平衡状态下的一些物理性质，如果把一块p 型半导体和一块n 型半导体［如p 型硅（ p-Si）和n 型硅Cn-Si) 〕结合在一起，在两者的交界面处就形成了所谓的pn 结，其中的杂质分布显然是不均匀的。那么这种有pn 结的半导体将具有什么性质呢？这是本章所要讨论的主要问题。由于pn 结是很多半导体器件（如结型晶体管、集成电路等）的心脏， 因此了解和掌握pn结的性质具有很重要的实际意义。本章主要讨论pn 结的几条重要性质，如电流一电压特性、电容效应、击穿特性等。 01pn 结及其能带图 pn 结及其能带图01归结的形成和杂质分布6.1.1 归结的形成和杂质分布在一块n型（或p型）半导体单晶上，用适当的工艺方法（如合金法、扩散法、生长法、离子注入法等）把p型（或n型）杂质掺入其中，使这块单晶的不同区域分别具有n型和p型的导电类型，在两者的交界面处就形成了pn 结。下面简单介绍两种常用的形成归结的典型工艺方法及制得的pn 结中杂质的分布情况。 pn 结及其能带图01归结的形成和杂质分布6.1.1 归结的形成和杂质分布1. 合金法用合金法制造pn 结的过程，把一小粒铝放在一块a 型单晶硅片上，加热到一定的温度，形成铝硅的熔融体，然后降低温度，熔融体开始凝固，在口型硅片上形成一含有高浓度铝的p 型硅薄层，它与n 型硅衬底的交界面处即为pn 结（这时称为铝硅合金结〉。 pn 结及其能带图01归结的形成和杂质分布6.1.1 归结的形成和杂质分布合金结的杂质分布如图6-3 所示，其特点是：n 型区中施主杂质浓度为ND ，而且均匀分布；p 型区中受主杂质浓度为NA ，也均匀分布。在交界面处，杂质浓度由NA(p 型）突变为ND(n 型〉，具有这种杂质分布的pn 结称为突变结。设pn 结的位置在x =xi ，则突变结的杂质分布可以表示为实际的突变结，两边的杂质浓度相差很多，例如， n 区的施主杂质浓度为1016 cm-3 ，而p区的受主杂质浓度为1019cm-3 ， 通常称这种结为单边突变结（这里是p+n 结） 。 pn 结及其能带图01归结的形成和杂质分布6.1.1 归结的形成和杂质分布 pn 结及其能带图01归结的形成和杂质分布6.1.1 归结的形成和杂质分布2. 扩散法图6-4 表示用扩散法制造pn 结（也称扩散结）的过程。它是在n 型单晶硅片上，通过氧化、光刻、扩散等工艺制得的pn 结，其杂质分布由扩散过程及杂质补偿决定。在这种结中，杂质浓度从p 区到n 区是逐渐变化的， 通常称为缓变结，如图6-5 （a）所示。设pn 结位置在x=xi，则结中的杂质分布可表示为 pn 结及其能带图01归结的形成和杂质分布6.1.1 归结的形成和杂质分布 pn 结及其能带图01归结的形成和杂质分布6.1.1 归结的形成和杂质分布在扩散结中，若杂质分布可用x=xi 处的切线近似表示，则称为线性缓变结，如图6-5(b)所示。因此线性缓变结的杂质分布可表示为ND-NA =αi（x -xi)式中， αj 是x = xi处切线的斜率，称为杂质浓度梯度，它取决于扩散杂质的实际分布， 可以用实验方法测定。但是对于高表面浓度的浅扩散结， Xi处的斜率αj 很大，这时扩散结用突变结来近似，如图6-5 ( c）所示。 pn 结及其能带图01归结的形成和杂质分布6.1.1 归结的形成和杂质分布综上所述， pn 结的杂质分布一般可以归纳为两种情况，即突变结和线性缓变结。合金结和高表面浓度的浅扩散结（ p+n 结或n+p 结）一般可认为是突变结，而低表面浓度的深扩散结一般可以认为是线性缓变结。 pn 结及其能带图02空间电荷区6. 1. 2 空间电荷区考虑两块半导体单晶，一块是n 型，一块是p 型。在n 型半导体单晶中，电子很多而空穴很少；在p 型半导体单晶中， 空穴很多而电子很少。但是，在n 型中的电离施主与少量空穴的正电荷严格平衡电子电荷，而p 型中的电离受主与少量电子的负电荷严格平衡空穴电荷，因此，单独的n 型和p 型半导体是电中性的。当这两块半导体结合形成pn 结时，由于它们之间存在着载流子浓度梯度，因此导致了空穴从p 区到n 区、电子从n区到p 区的扩散运动。对于p 区，空穴离开后，留下了不可动的带负电荷的电离受主，这些电离受主没有正电荷与之保持电中性。 pn 结及其能带图02空间电荷区6. 1. 2 空间电荷区因此，在pn 结附近p 区一侧出现了一个负电荷区。同理，在pn 结附近n 区一侧出现了由电离施主构成的一个正电荷区，通常就把在pn 结附近的这些电离施主和电离受主所带的电荷称为空间电荷。它们所存在