《半导体物理学》【ch03】半导体中载流子的统计分布 教学课件.pptxVIP

第三章 半导体物理学半导体中载流子的统计分布集成电路科学与工程系列教材 半导体中载流子的统计分布导入在一定温度下，如果没有其他外界作用，半导体中的导电电子和空穴是依靠电子的热激发作用而产生的，电子从不断热振动的晶格中获得一定的能量，就可能从低能量的量子态跃迁到高能量的量子态，例如，电子从价带跃迁到导带（这就是本征激发），形成导带电子和价带空穴。电子和空穴也可以通过杂质电离方式产生，当电子从施主能级跃迁到导带时产生导带电子，当电子从价带激发到受主能级时产生价带空穴等。与此同时，还存在着相反的过程，即电子也可以从高能量的量子态跃迁到低能量的量子态，并向晶格放出一定能量，从而使导带中的电子和价带中的空穴不断减少，这一过程称为载流子的复合。 半导体中载流子的统计分布导入在一定温度下，这两个相反的过程之间将建立起动态平衡，称为热平衡状态。这时，半导体中的导电电子浓度和空穴浓度都保持一个稳定的数值，这种处于热平衡状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子。当温度改变时，破坏了原来的平衡状态，又重新建立起新的平衡状态，热平衡载流子浓度也将随之发生变化，达到另一稳定数值。 半导体中载流子的统计分布导入实践表明，半导体的导电性随温度而强烈地变化。实际上，这种变化主要是由半导体中载流子浓度随温度而变化所造成的。因此，要深入了解半导体的导电性及其他许多性质，必须探求半导体中载流子浓度随温度变化的规律，以及解决如何计算一定温度下半导体中热平衡载流子浓度的问题。这就是本章所要讨论的中心问题。为了计算热平衡载流子浓度及求得它随温度变化的规律，我们需要两个方面的知识：第一，允许的量子态按能量的分布；第二，电子在允许的量子态中的分布。下面依次讨论这两个方面的问题，并进而计算在一些具体情况下的热平衡载流子浓度，从而了解它随温度变化的规律。 01状态密度 状态密度在半导体的导带和价带中，有很多能级存在。但相邻能级的间隔很小，约为10一22eV 数量级，可以近似认为能级是连续的，因而可将能带分为一个一个能量很小的间隔来处理。假定在能带中能量E～ （E十dE）之间无限小的能量间隔内有dZ 个量子态，则状态密度g ( E）为也就是说，状态密度g(E）就是在能带中能量E 附近每单位能量间隔内的量子态数。只要能求出g(E），允许的量子态按能量分布的情况就知道了。 状态密度可以通过下述步骤计算状态密度：首先算出单位k空间中的量子态数，即k空间中的量子状态密度；然后算出k 空间中与能量E～（E十dE）所对应的k 空间体积，并和k 空间中的量子状态密度相乘，从而求得在能量E～（E十dE）之间的量子态数dZ；最后，根据式（ 3-1)求得状态密度g(E) 。 状态密度01k空间中量子态的分布3. 1. 1 k空间中量子态的分布从第1 章的讨论中我们知道，半导体中电子的允许能量状态（即能级）用波矢k 标志，但是电子的波矢k不能取任意的数值，而是受到一定条件的限制。根据式(1-18),k 的允许值为 状态密度01k空间中量子态的分布3. 1. 1 k空间中量子态的分布式中，nx，ny，ne是整数； L是半导体晶体的线度，L3=V,为晶体体积。以波矢k 的三个互相正交的分量kx，ky ，kz 为坐标轴的直角坐标系所描述的空间为k空间。显然，在k空间中，由一组整数（nx，ny，nz ）所决定的一点对应于一定的波矢k，因而，该点是电子的一个允许能量状态的代表点。不同的整数组（nx，ny，nz）决定了不同的点，对应着不同的波矢k ，代表电子不同的允许能量状态。因此，电子有多少个允许的能量状态，在k 空间中就有多少个代表点。 状态密度01k空间中量子态的分布3. 1. 1 k空间中量子态的分布式中，nx，ny，ne是整数； L是半导体晶体的线度，L3=V,为晶体体积。以波矢k 的三个互相正交的分量kx，ky ，kz 为坐标轴的直角坐标系所描述的空间为k空间。显然，在k空间中，由一组整数（nx，ny，nz ）所决定的一点对应于一定的波矢k，因而，该点是电子的一个允许能量状态的代表点。 状态密度01k空间中量子态的分布3. 1. 1 k空间中量子态的分布因为任一代表点的坐标沿三条坐标轴方向均为2π/L的整数倍，所以代表点在k空间中是均匀分布的。每个代表点都和体积为8π3/L3=8π3/V 的一个立方体相联系，这些立方体之间紧密相接、没有间隙、没有重叠地填满k 空间。因此，在k 空间中，体积为8π3/V的一个立方体中有一个代表点。换言之， k 空间中代表点的密度为V/（8π3）。也就是说，在k 空间中，电子的允许能量状态密度是V/（8π3）。如果计入电子的自旋，那么， k 空间中每个代表点实际上代表自旋方向相反的两个量子态。所以，在k 空间中，电子的允许量子态密度是2V/（8π3）。这时， 每个量子态最多