半导体材料掺杂用扩散膜--编制说明（讨论稿）.docx

1 《半导体材料掺杂用扩散膜》 编制说明（讨论稿） 一、工作简况 1、立项目的和意义 半导体扩散工艺是一种掺杂技术，它是将所需杂质按要求的浓度与分布掺入到 半导体材料中，以达到改变材料电学性能，形成半导体器件的目的。传统的扩散工 艺一般是使用传统化学品，后来发展出片扩散技术，仅德国、美国公司控制片扩散 工艺技术，后又发展出膜扩散技术，美国菲诺士公司掌握膜扩散技术20多年，对我 国进行产期的技术封锁。 “十四五 ”规划纲要的“第四章 强化国家战略科技力量 ”的“集成电路 ”领域 明确提出核心电子器件、高端通用芯片等宽禁带半导体的发展。《新材料产业发展 指南》中三、发展方向(二)中明确提及宽禁带半导体材料；《新材料标准领航行动 计划(2018-2020年)》中的“二(二)4先进半导体材料 ”中“建立碳化硅、氮化镓、 氮化硼等第三代宽禁带半导体材料标准…… ”；《重点新材料首批次应用示范指导 目录(2019版)》中“关键战略材料 ”中“284 碳化硅外延片、285碳化硅单晶衬底 ” 。半导体材料掺杂用扩散膜（以下简称“扩散膜 ”）的技术突破，对加快推进集成 电路产业发展，转变经济发展方式、保障国家安全、提升综合国力具有重大战略意 义。 扩散膜属于半导体芯片制造的重要原材料，是芯片内部的结构的重要组成部分， 扩散膜是芯片掺杂基础材料是扩散源的一种新型产品，来源于片状源却不同于片状