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本实用新型提供等离子体增强化学气相沉积设备。所述等离子体增强化学气相沉积设备包括腔体、位于腔体外且用于产生激发等离子体的射频信号的射频电源、位于腔体内且位于进气口下方且用于均匀从进气口进入腔体的反应气体的布气板组件、位于布气板组件的下方且其底面为朝上凹陷的曲面的上电极、悬挂于所述上电极的下方的电介质层以及位于腔体底部且接地并与上电极相对设置的下电极；电介质层的顶面中部针对上电极凹陷的曲面设置有凸起，所述凸起使得上电极与电介质层之间的间距小于能够产生次生等离子体的预定间距。本实用新型能阻止在上电极
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 220012806 U
(45)授权公告日 2023.11.14
(21)申请号 202321423807.7
(22)申请日 2023.06.06
(73)专利权人 理想万里晖半导体设备（上海）股
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