薄膜的生长过程和薄膜结构演示文稿.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 在单位时间内，单位表面上由临界尺寸的原子团长大的核心数目就是形核率，它应该正比于三个因子的乘积，即 n* — 衬底上临界核心的面密度； A* — 每个临界核心接受沿衬底表面扩散来的吸附原子的表面积； ω — 为在单位时间内，向表面扩散来的吸附原子的通量。 本文档共53页；当前第30页；编辑于星期三\17点43分 迁移来的吸附原子通量ω应等于吸附原子密度na和原子扩散的发生几率 的乘积； 则 因此，得到 ★ 临界形核自由能变ΔG*的降低将显著提高形核率； 高的脱附能Ed、低的扩散激活能Es有利于气相原子在衬底表面的停留和运动，会提高形核率。 本文档共53页；当前第31页；编辑于星期三\17点43分 5.3.3 衬底温度和沉积速率对形核过程的影响 通过自发形核的情况下，薄膜沉积速率R与衬底温度T对临界核心半径r*和临界形核自由能变化ΔG*的影响来说明它们对整个形核过程及薄膜组织的影响。 本文档共53页；当前第32页；编辑于星期三\17点43分 薄膜沉积速率R对薄膜组织的影响： 固相从气相凝结出来时的相变驱动力可写为 Re — 凝结的核心在温度T时的平衡蒸发速率； R — 实际的沉积速率。 Re=R 即气相与固相处