扎维模拟CMOS集成电路设计第三章习题.pptxVIP

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Chapter3 习题12023最新整理收集do something 2023/11/1723.1(1) 2023/11/173 2023/11/174(2)二极管连接的Pmos负载,没有体效应. 2023/11/1753.2(1) 2023/11/176(2)M1工作在线性区边缘,满足 2023/11/177M2工作在线性区边缘,满足 2023/11/1783.3(1) 2023/11/179(2)M1工作在线性区边缘,满足 2023/11/1710 2023/11/1711(3)M1工作在线性区 2023/11/1712 2023/11/17133.12 2023/11/1714 2023/11/17153.14 2023/11/1716 2023/11/17173.20 2023/11/1718 2023/11/17193.21a. M2, M3构成共源共栅结构,可以等效为一个阻抗RD.不考虑体效应 2023/11/1720b. M1, M3都为二极管连接的MOS器件, 将M1等效为电阻RS, M3等效为电阻RD. 2023/11/1721c. M3等效电阻为M1等效电阻为 2023/11/1722 2023/11/17233.23 M1临界饱和时, 2023/11/1724 2023/11/1725 2023/11/1726c. 输出电压摆幅: 2023/11/1727d. 输出电压摆幅:输入电压摆幅:X处电压摆幅:当M1处于临界饱和时,输出电压为 , , 满足 ,即M2处于饱和状态.Vin增加,Vout减小,VX减小,M1进入线性区,M2仍处于饱和区,直到 ,即M1比M2先进入线性区. 2023/11/17283.24 在图所示电路中,a.假如 ,计算小信号增益.b.假设 ,计算使M1处于线性区边缘的输入电压.并求出此时的小信号增益. 2023/11/1729 2023/11/1730 2023/11/1731b. M1工作在线性区边缘,满足 2023/11/1732 2023/11/17333.25 2023/11/1734下面,利用迭代法求Vout的值: 2023/11/1735 2023/11/1736 2023/11/1737 2023/11/1738 2023/11/1739 2023/11/1740b. M1工作在线性区边缘,满足假设M2工作在线性区,此时有 2023/11/1741,故M2工作在饱和区. 2023/11/1742 2023/11/1743c. M2工作在线性区边缘,满足 2023/11/1744 2023/11/17453.29 2023/11/1746 2023/11/1747 2023/11/1748 感谢阅读感谢阅读

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