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本发明公开一种基于纳米晶和坡莫合金复合结构的高性能磁屏蔽装置，其具体包括多个纳米晶和坡莫合金复合结构高磁导率磁屏蔽层、纳米晶层离型膜、屏蔽层间无磁固定装置、无磁垫片；所述纳米晶和坡莫合金复合结构高磁导率磁屏蔽层，纳米晶磁屏蔽层在外侧，坡莫合金磁屏蔽层在内侧，用于屏蔽静磁场及低频交变磁场；纳米晶磁屏蔽层之间通过无磁绝缘胶黏剂粘结；所述纳米晶层离型膜置于纳米晶磁屏蔽层外侧，用于防止纳米晶碎化降低屏蔽性能；所述屏蔽层间无磁固定装置用于保持磁屏蔽层之间的间距；所述无磁垫片用于屏蔽层间无磁固定装置和磁屏蔽
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117074742 A
(43)申请公布日 2023.11.17
(21)申请号 202311183360.5
(22)申请日 2023.09.14
(71)申请人 北京航空航天大学
地址 1001
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