埋入TSV转接芯片的树脂基三维扇出封装方法及结构.pdfVIP

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2023-11-18 发布于四川
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埋入TSV转接芯片的树脂基三维扇出封装方法及结构.pdf

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本发明公开一种埋入TSV转接芯片的树脂基三维扇出封装方法及结构，属于集成电路封装领域。将上层多芯片重构塑封，在正面制作再布线并制作凸点，切割成第一重构单元；将下层异质芯片及TSV转接芯片重构塑封，在正面制作铜柱，切割成第二重构单元；将第二重构单元再次进行重构塑封，将背面TSV转接芯片的铜柱漏出，在表面制作再布线作为重构基板；将第一重构单元倒装在重构基板上，进行回流、底填，作为第三重构单元；将第三重构单元整体重构，翻转后减薄漏出铜柱，在表面制作再布线并制作凸点，切割成相应尺寸形成单颗三维系统级封装

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117080094 A (43)申请公布日 2023.11.17 (21)申请号 202311199693.7 H01L 23/522 (2006.01)