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功放mos推挽电路 功放MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）推挽电路是一种常见的功放电路配置，用于放大和驱动要求较大电流的负载。MOSFET是一种三端器件，其中包括栅、源和漏极。MOSFET推挽电路由两个MOSFET管组成，一个用作功率管，另一个用作驱动管，以提供放大和驱动功能。 基本的MOSFET推挽电路如下图所示： 在该推挽电路中，Q1和Q2是两个MOSFET管，电感加载于Q1和Q2的漏极之间，而负载则连接于漏极。R1和R2是驱动电阻，用于保护MOSFET管不受驱动电压过高的损坏。 工作原理如下： 输入信号Vin经过适当的电路（如信号调理电路）后，用于驱动Q1。 在输入信号的作用下，当Vin为高电平时，Q1导通，Q2截止，负责负载的电流通过Q1流过，将电压施加在负载上。 当Vin为低电平时，Q1截止，Q2导通，此时电流通过负载流回地。通过交替导通和截止，输出端的负载就可以获得交流电信号的放大。 通过MOSFET推挽电路的设计和控制，可以实现高效率、低失真和高功率的放大输出，常用于音频功放、功率放大器以及电机驱动等应用中。