半导体来料性能抽检计划指导培训.xlsVIP

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2023-11-21 发布于重庆
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半导体来料性能抽检计划指导培训.xls

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Sheet3 Sheet2 编码厂家型号抽检项目抽检频次样品数量抽检条件测试指标备注 1次/月散热器安装 Viso 合格判据 1.5Nm力矩安装到散热器之后，绝缘耐压满足交流2.5KV 1分钟。高温电参数安装绝缘 1次/季 125℃下测试 Vces Vge=0VIc=10mA条件下Vce1200V. 1次/半年 Ir 1次/季度 Tj=125℃,Vr=480V Ir7MA Ir3MA Tj=125℃,Vr=960V Ir14MA Ir60MA Tj=150℃,Vr=600V Ir800uA Tj=175℃,Vr=600V Ir1000uA 5Nm力矩安装到散热器之后，绝缘耐压满足交流3KV 1分钟。高温电参数 VRM IR=100uA条件下,VRM800V 1次/季 hFE Ic=150mA,Vce=1V条件下,125hFE375 高温电参数 1次/季高温125℃存储5小时后进行高温测试击穿电压VBR 漏电流IR 满足规格书的要求；漏电流IR小于1000uA；无短路高低温电参数分别进行高温125℃和低温-20℃存储0.5小时后进行高低温测试漏电流IR 稳压值Vz 满足规格书的要求；Vz在11.4到12.7V之间，IR小于0.1uA；满足规格书的要求；Vz在16.8到19.1V之间，IR小0.05uA；满足规格书的要求；Vz在4.8到5.1V之间，IR小于0.1uA；低温电参数 1次/季在-25℃下测试 Vgs=0VID=250uA条件下不小于810V； 150℃下测试 Idss Idss在Vgs=0VVds=160V条件下小于等于250uA； 125℃下测试 Idss、VGS(th) Idss在Vgs=0VVds=600V条件下小于等于10uA；VGS(th)在Vgs=VdsId=250uA条件下在2.25V～2.55V范围内。 1次/季高温130℃存储1小时左右后进行高温电测试击穿电压VBR 漏电流IR 漏电流IR小于50mA；曲线稳定不漂移漏电流IR小于150mA；曲线稳定不漂移高温125℃存储1小时左右后进行高温电测试漏电流IR小于5mA；曲线稳定不漂移高温125℃存储2小时左右后进行高温电测试漏电流IR小于15mA；曲线稳定不漂移抽样地点特殊条件下半导体来料性能抽检计划 OEM BVDSS 20.00 20.00 20.00 5.00 20.00 20.00 10.00 20.00 20.00 20.00 20.00 20.00 20.00 20.00 20.00 20.00 5.00 5.00 5.00 20.00 10.00 5.00 5.00 5.00 5.00 5.00