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一种功率半导体器件及其制备方法、芯片.pdfVIP

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  • 2023-11-22 发布于四川
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一种功率半导体器件及其制备方法、芯片.pdf

    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种功率半导体器件及其制备方法、芯片，在N型漂移层与源极层之间形成元胞结构，在N型漂移层上形成包括终端扩展区、终端沟槽、P型掺杂区以及介质层的终端结构；终端扩展区位于N型漂移层上，且终端扩展区分别与源极层和介质层接触，并与最靠近元胞结构的终端沟槽相邻；P型掺杂区位于对应的终端沟槽的槽底和槽壁；介质层覆盖于终端沟槽、P型掺杂区上，通过终端沟槽截断P型掺杂区与沟槽侧壁之间形成的柱面结，使得沟槽下方的P型掺杂区部分更接近平面PN结，减少了电场的集中，并通过对终端沟槽进

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117096195 A (43)申请公布日 2023.11.21 (21)申请号 202311119298.3 (22)申请日 2023.08.31 (71)申请人 天狼芯半导体（成都）有限公司 地址

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