原创力文档- 0
- 0
- 约2.46万字
- 约 28页
- 2023-11-22 发布于四川
- 举报
本发明提供一种通过抑制在切断面的内部方向上产生变形，从而即使长时间使用，可靠性也不降低的碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法。本发明的碳化硅半导体装置具备：有源区(211)，其设置于第一导电型的半导体基板(1)，并且有源区中有主电流流通；终端区域(210)，其配置于有源区(211)的外侧，且形成有耐压结构；以及损伤区(22)，其配置于终端区域(210)的外侧，且与单片化时形成的切断面接触，且结晶性受到损伤。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 109390384 A
(43)申请公布日
2019.02.26
(21)申请号 20181
文档评论（0）