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基于高K金属栅平台的poly电阻形成方法.pdfVIP

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  • 2023-11-22 发布于四川
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基于高K金属栅平台的poly电阻形成方法.pdf

    本发明提供一种基于高K金属栅平台的poly电阻形成方法，提供衬底，在衬底上形成有poly电阻区和器件区，poly电阻区与器件区上均形成有伪栅多晶硅层，伪栅多晶硅层的侧壁均形成有侧墙结构，在衬底上形成覆盖伪栅多晶硅层、侧墙结构的第一刻蚀停止层，形成覆盖第一刻蚀停止层的零层间介质层，研磨零层间介质层至伪栅多晶硅层裸露；在零层间介质层、伪栅多晶硅层上形成硬掩膜层，之后在硬掩膜层上形成第一光刻胶层，光刻打开第一光刻胶层使得poly电阻区中的硬掩膜层选择性地裸露，刻蚀去除裸露的硬掩膜层。本发明在高K金属栅

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117096023 A (43)申请公布日 2023.11.21 (21)申请号 202311085944.9 (22)申请日 2023.08.25 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司 地址

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