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哑铃状源极互联的六边形元胞埋沟锥式槽碳化硅VDMOSFET结构.pdfVIP

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  • 2023-11-22 发布于四川
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哑铃状源极互联的六边形元胞埋沟锥式槽碳化硅VDMOSFET结构.pdf

    本发明公开哑铃状源极互联的六边形元胞埋沟锥式槽碳化硅VDMOSFET结构，六边形元胞1的碳化硅外延层表面还刻蚀形成有一锥式槽，锥式槽开口向上并贯穿N‑SOURCE区下方并深入至Pwell区1内，锥式槽内淀积有金属1，锥式槽上方连通设有一埋沟，埋沟上方横向的氧化层合并为一体并沉积入埋沟内，在非水平宽度方向的任意相邻两个六边形元胞1之间形成有源极互联结构，源极互联结构用于连接任意Z向线两个六边形元胞1的源极金属1并引出连接外界源极，在Z向线上相邻六边形元胞1和源极互联结构还可视为形成哑铃状元胞，从而

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117096198 A (43)申请公布日 2023.11.21 (21)申请号 202311207420.2 (22)申请日 2023.09.19 (71)申请人 杭州谱析光晶半导体科技有限公司 地

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