半导体物理基础-全套PPT课件.pptx

半导体物理基础 (10学时）;1.1 半导体晶体结构和缺陷 1.2 半导体的能带与杂质能级 1.2.3 Si、Ge的能带结构及本征半导体 1.2.4 杂质半导体 1.3 半导体中的平衡与非平衡载流子 1.3.1 导带电子浓度与价带空穴浓度 1.3.2 本征载流子浓度与本征费米能级 1.3.3 杂质半导体的载流子浓度 1.3.4 简并半导体及其载流子浓度 1.3.5 非平衡载流子的产生与复合及准费米能级 1.3.6 非平衡载流子的寿命与复合理论 1.4 半导体中载流子的输运现象 1.4.1 载流子的漂移运动与迁移率 1.4.2 半导体中的主要散射机构及迁移率与平均自由时间的关系 1.4.3 半导体的迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系 1.5 半导体表面 1.5.1 半导体表面和表面能级 1.5.2 Si-SiO2系统中的表面态与表面处理 1.5.3 表面能带弯曲与反型 1.5.4 表面复合;第一讲 （3学时）;教学目标：掌握金刚石的基本结构、了解晶体结构晶面、???向的定义，熟悉缺陷对晶体电学性能的影响、掌握施主、受主产生机制； 教学重点：缺陷的产生及对晶体电学影响机制；教学难点：施主、受主形成的机制； 教学方法：讲授法。;1.1.1 半导体的晶体结构;立方晶系主要包括简单立方（sc）、体心立方晶格 （bcc）和面心立方晶格 （fcc）。;1.1.2 晶体的晶向与晶面;图1-43 （副） 不同的晶面族;图1-43　晶面指数和面间距;晶向指数的求解; 晶刚石结构 ;1.1.3 半导体中的缺陷;1.1.3 半导体中的缺陷;1.1.3 半导体中的缺陷;1.2.3 本征半导体(Intrinsic semiconductor );将硅或锗材料提纯便形成单晶体，它的原子结构为共价键结构。;;本征半导体的能带——用能量关系表达本征激发;本征半导体中载流子的浓度;1.2.4 杂质半导体(Impurity semiconductor);N 型半导体;价带;多数载流子(多子)——富裕的载流子 少数载流子(少子)——稀少的载流子;　在硅或锗的晶体中掺入少量的3价杂质元素，如硼B、镓Ga、铟In等，即构成P型半导体(或称空穴型半导体) 。;受主电离 ;杂质的补偿作用——工艺的需要，因器件很小 ;说 明：;第二讲 （3学时）;教学目标：了解波矢K的定义及K空间格波态密度，掌握费米分布函数、费米能级，掌握载流子的计算方法，熟悉不同温度区间费米能级和杂质电离度； 教学重点：费米分布函数、载流子的计算方法； 教学难点：不同温度区间费米能级和杂质电离度的关系； 教学方法：讲授法。;1.3 半导体中的平衡与非平衡载流子 ;在k空间中，允许量子态构成一个点阵，每个点由一组整数（nx,ny,nz）表示。 k空间中，每一个允许的量子态的k空间代表点都与一个1/L3的立方体相联系。即每一个1/L3的立方体中有一个允许的量子态 所以k空间中允许量子态的密度为V (L3)，考虑电子自旋，则密度为2V。;一、球形等能面情况;将k用能量E表示：;二、旋转椭球等能面情况：;状态密度与能量关系;平衡态——无外界因素作用（光、电注入 ）于半导体上； ;费米能级 成为量子态是否被电子占据的分界线， 能量高于费米能级的量子态基本是空的， 能量低于费米能级的量子态基本上全部被电子所占据。 —— 群体状态！ ;电子的玻耳兹曼分布函数不受泡利不相容原理的制约， ;EF;对导带或价带中所有量子态，电子或空穴都可以用玻耳兹曼统计分布描述。由于分布几率随能量呈指数衰减，因此导带绝大部分电子（浓度）分布在导带底附近，价带绝大部分空穴 分布在价带顶附近，起作用的载流子都在能带极值附近。 ;导带电子浓度：;对上式从导带底积分到导带顶，得导带电子浓度n0;令;两式相乘：;1.3.2 本征半导体载流子浓度与费米能级;代入各自表达式得：;显然：;本征载流子浓度随温度的升高显著上升 ;施主能级被占据几率为：;电离受主浓度;;由电中性条件：;上式简化为：;将求得的EF代入n0表达式得：;电中性条件可简化为：;代入强电离时EF表达式;所以:;解如下联立方程：;此时电中性条件：;P;少数载流子浓度 (强电离区为例);杂质浓度(cm-3);同时含一种施主杂质和一种受主杂质;;;强电离区：;非简并分析的一个基本假设：; 当费米能级接近导带低或价带顶，甚至进入导带或价带时，必须考虑能级的简并（一个能级可允许两个自旋相反的电子占据），即需要用费米分布来计算载流子浓度。简并化条件一般为：;简称费米-狄拉克积分;;简并掺杂