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- 2023-11-22 发布于四川
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本实用新型提供了一种坩埚盖结构及碳化硅生长坩埚，涉及碳化硅生长设备技术领域。该坩埚盖结构包括盖体、籽晶结构、导流环和固定环。盖体用于与坩埚主体连接；盖体上设有装配槽，装配槽的内侧壁上设置有螺纹。籽晶结构设置于装配槽内部。导流环的部分伸入装配槽且通过螺纹装配于装配槽的内侧壁；导流环和盖体共同夹持籽晶结构。固定环设置在导流环的外周，且被夹持于盖体和坩埚主体之间。本实用新型提供的碳化硅生长坩埚采用了上述的坩埚盖结构。本实用新型提供的坩埚盖结构及碳化硅生长坩埚可以改善现有技术中籽晶结构容易脱落且不易拆卸
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 220057112 U
(45)授权公告日 2023.11.21
(21)申请号 202321366643.9
(22)申请日 2023.05.31
(73)专利权人 通威微电子有限公司
地址 61
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