原创力文档- 8
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- 2023-11-22 发布于四川
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本发明涉及一种修复碳化硅衬底的装置和方法，装置包括气体加热器和反应室；反应室包括壳体，壳体内设有输送区和修复区；输送区设有液硅容器、熔融硅液加热器、气体输出管道和硅蒸汽输送管道；气体输出管道的两端分别连接液硅容器和硅蒸汽输送管道的进口端；气体加热器通过气体输入管道连接液硅容器；修复区设有气体导流装置和载台，气体导流装置设置在硅蒸汽输送管道的出口端并置于载台的正上方。本发明利用高温气体对高温的熔融硅液进行鼓泡，产生硅蒸汽，再通过硅蒸汽对碳化硅衬底的表面进行修复或蚀刻，进而改善碳化硅衬底制作中产生的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117088713 A
(43)申请公布日 2023.11.21
(21)申请号 202110912885.2
(22)申请日 2021.08.10
(71)申请人 希科半导体科技（
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