金属半导体和半导体异质结.pptVIP

本文档共61页；当前第30页；编辑于星期六\17点42分 9.1.4 电流-电压关系 金属半导体结中的电流输运机制，不同于pn结中少数载流子决定电流的情况，而是主要取决于多数载流子。肖特基二极管的基本过程是电子运动通过势垒。这种现象可以通过热电子发射理论来解释。热电子发射现象基于势垒高度远大于kT这一假定。 本文档共61页；当前第31页；编辑于星期六\17点42分 Js m是电子从半导体扩散到金属中的电流密度， Jm s是电子从金属扩散到半导体中的电流密度。 本文档共61页；当前第32页；编辑于星期六\17点42分 本文档共61页；当前第33页；编辑于星期六\17点42分 本文档共61页；当前第34页；编辑于星期六\17点42分 本文档共61页；当前第35页；编辑于星期六\17点42分 ??随着电场强度和反偏电压的增大而增大，反偏电流随反偏电压的增加而增加。 本文档共61页；当前第36页；编辑于星期六\17点42分 本文档共61页；当前第37页；编辑于星期六\17点42分 Figure 9.9 本文档共61页；当前第38页；编辑于星期六\17点42分 肖特基势垒二极管 和pn结二极管的比较 pn结二极管 肖特基 虽然J-V特性的形式非常相似，但反向饱和电流密度的公式有很大区别，两种器件的电流输运机构是不同的。Pn结的电流是由少数载流子的扩散运动决定的，而肖特基势垒二极管中的电流是由多数载流子通过热电子发射跃过内建电势差而形成的。 JsTJS, 本文档共61页；当前第39页；编辑于星期六\17点42分 Figure 9.10 本文档共61页；当前第40页；编辑于星期六\17点42分 本文档共61页；当前第41页；编辑于星期六\17点42分 2.两种二极管正偏时的特性也不同，肖特基二极管的开启电压低于pn结二极管的有效开启有效开启电压。 3.二者的频率响应特性，即开关特性不同。 pn结从正偏转向反偏时，由于正偏时积累的少数载流子不能立即消除，开关速度受到电荷存储效应的限制；肖特基势垒二极管，由于没有少数载流子存储，可以用于快速开关器件，开关时间在皮秒数量级，其开关速度受限于结电容和串联电阻相联系的RC延迟时间常数。工作频率可高达100GHz.而pn结的开关时间纳秒数量级 本文档共61页；当前第42页；编辑于星期六\17点42分 MS可以用来加快BJT的瞬态关断过程。称为肖特基二极管的钳制。它的作用是，当BJT在开启状态进入饱和模式时，MS二极管导通并把CB结钳制到相对低的正偏压下，这种方法利用了MS能比pn结的导通电压低这一特点。这样CB结可以维持在一个相对较低的电压上，在BJT中可以有最少的电荷储存。所以关断的时间显著减少。 肖特基二极管钳制npnBJT的电路图 本文档共61页；当前第43页；编辑于星期六\17点42分 金属半导体和半导体异质结演示文稿 本文档共61页；当前第1页；编辑于星期六\17点42分 （优选）金属半导体和半导体异质结 本文档共61页；当前第2页；编辑于星期六\17点42分 第九章 金属半导体和半导体异质结 9.1 肖特基势垒二极管 9.2 金属半导体的欧姆接触 9.3 异质结 本文档共61页；当前第3页；编辑于星期六\17点42分 9.1 肖特基势垒二极管 肖特基势垒二极管示意图 本文档共61页；当前第4页；编辑于星期六\17点42分 9.1.1 性质上的特征 金属 N型半导体 金属和n型半导体接触前的平衡态能带图 本文档共61页；当前第5页；编辑于星期六\17点42分 基本概念 真空能级E0:电子完全脱离材料本身的束缚所需的最小能量 功函数：从费米能级到真空能级的能量差 电子亲和势：真空能级到价带底的能量差 金属的功函数 半导体的亲和势 半导体的功函数 本文档共61页；当前第6页；编辑于星期六\17点42分 画能带图的步骤： 1. 画出包括表面在内的各部分的能带图 2. 使图沿垂直方向与公共的E0参考线对齐，并通过 公共界面把图连起来 3. 不改变半导体界面能带的位置，向上或向下移动 半导体体内部分的能带，直到EF在各处的值相等 4. 恰当地把界面处的Ec, Ei, Ev和体内Ec, Ev, Ei连接起来 5.去除不重要的 本文档共61页；当前第7页；编辑于星期六\17点42分 Figure 9.1 ?m?s 两个方向都存在电子流动的势垒 本文档共61页；当前第8页；编辑于星期六\17点42分 ?B0=?m-? 金属中的电子向半导体中运动存在势垒?B0 叫做肖特基势垒。 半导体导带中的电子向金属中移动存在势垒Vbi ，Vbi就是半导体内的内建电势 本文档共61页；当前第9页；编辑于星期六\17点42分 外加电压后，金属和半导体的费米能级不再相同，二