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本发明公开了一种影响二维半导体电控性能变化的分析实验方法及装置，显微观察二维半导体，确定二维半导体的初始性能，构筑立体反应空间，将二维半导体置于立体反应空间内；按照载气输运模式在立体反应空间内形成不同形状的合成反应空间，在每个合成反应空间内利用电力场反应模式产生静电场，使得二维半导体能够处在高气压作用和电场力作用下；将载气输运模式和电力场反应模式构成影响二维半导体合成的多种作用因素，在立体反应空间内对二维半导体加载不同种的作用因素，对比分析观察二维半导体的性能变化；本发明方便对比研究静电场的作用
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117110284 A
(43)申请公布日 2023.11.24
(21)申请号 202311006564.1
(22)申请日 2023.08.10
(71)申请人 湘潭大学
地址 411100
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