一种沟槽器件及其制作方法.pdfVIP

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2023-11-25 发布于四川
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一种沟槽器件及其制作方法.pdf

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本申请提供了一种沟槽器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一外延片；基于外延片刻蚀沟槽；基于沟槽的底部与侧壁生长氧化层；基于氧化层的表面沉积TEOS层；基于TEOS层的表面沉积第一多晶硅层；对沟槽的底部进行回刻，并在沟槽的底部露出外延片；基于沟槽填充第二多晶硅层。本申请提供的沟槽器件及其制作方法具有提高了整个器件的击穿电压，提升了器件的良率，器件的可靠性得到提升的优点。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117116750 A (43)申请公布日 2023.11.24 (21)申请号 202311106669.4 (22)申请日 2023.08.29 (71)申请人思瑞浦微电子科技（上海）有限责任