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- 2023-11-25 发布于四川
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本发明公开了一种氮化物同质外延的原位检测系统及方法。所述的方法包括:在第一半导体层上同质外延生长第二半导体层时,同时以第一、第二入射光持续照射第二半导体层的表面,并使第一入射光在所述第二半导体层的表面被散射,以产生第一散射光,且使第二入射光入射所述第二、第一半导体层,以产生第二散射光;对第一、第二散射光进行实时检测和分析,实现对所述第二半导体层的厚度和所受应力的原位检测。利用本发明的系统和方法,可以兼顾氮化物同质外延层厚度和所受应力的测量,有效克服现有技术中无法原位检测氮化物同质外延层的厚度,且
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117109456 A
(43)申请公布日 2023.11.24
(21)申请号 202311374261.5 G01L 1/24 (2006.01)
(22)申请日 2023.10.2
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