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- 2023-11-25 发布于四川
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本实用新型公开了一种石墨烯掩膜生长氮化镓薄膜的结构，属于半导体技术领域。它包括氮化镓薄膜层、掩膜层和衬底层，裸露衬底层的区域为窗口区域，石墨烯覆盖区域为掩膜区域，在衬底层的窗口区域氮化镓层成核生长并覆盖掩膜层表面；所述掩膜层为呈六方形图案排列的石墨烯掩膜层结构；所述的窗口区域宽度为3～5微米，掩膜区域的宽度为15～25微米。本实用新型提供的掩膜层结构能有效降低氮化镓薄膜因异质外延产生的高位错密度；石墨烯掩膜材料的弱范德华力使氮化镓克服失配问题，大幅降低氮化镓薄膜的应力；六方掩膜结构具有六个窗口区
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 220079259 U
(45)授权公告日 2023.11.24
(21)申请号 202320916189.3
(22)申请日 2023.04.21
(73)专利权人 苏州大学
地址 215137
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