半导体激光器的工作原理(1).pptxVIP

10.1　半导体物理基础 10.2　半导体激光器的工作原理 ;10.1.1 半导体的能带结构　　半导体晶体中的电子状态不同于独立原子中的电子状态，但两者之间必然存在着联系。 　;　　在几何空间中半导体的能带表示如图10.1所示。　在K(动量)空间中，或者说在能量(E)与动量(K)的坐标系中，半导体的能带表示如图10.2所示。 ;图10.1 几何空间中半导体能带示意图;图10.2 E-K空间中半导体能带示意图;10.1.2 电子在能带之间的跃迁　　半导体中的载流子处于复杂的动态过程，主要包括带间跃迁、能带与杂质能级之间跃迁、带内松弛、带内光吸收等。　　1. 带间跃迁产生的几种效应 　　2. 带间跃迁几率 ;　　(1) 跃迁初态为电子占据的几率，终态为电子空缺的几率。电子属于费米子，服从费米-狄拉克统计分布，即在温度为T热平衡状态下，某一能量为E的能态为电子占据的几率f(E)为 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　(10-1) ;　　式中k为玻耳兹曼常数。显然能态E未被电子占据的几率为 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　(10-2) ;　　(2) 电子态密度。电子在某一能带中的态密度取决于电子在该能带的有效质量和在能带中的能量(能级)。导带和价带中的电子态密度分别为　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 (10-3) 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　(10-4) ; (3) 光子数密度。半导体激光器是基于光子与电子的相互作用，直接将电能转换成光能的器件。显然，这种相互作用强度与单位体积、单位频率间隔内的光子能量密度P(υ)有关，其表达式为 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　(10-5) ;　　(4) 跃迁几率。由量子力学可以推导出电子在导带与价带之间的受激吸收跃迁几率B12和受激辐射跃迁几率B21，并由爱因斯坦关系得到自发辐射跃迁几率A21，即 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　(10-6) 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　(10-7);10.1.3 辐射复合与非??射复合　　当电子与空穴相遇时，将会产生电子-空穴对的消失，称这种现象为载流子的复合。 　　1. 辐射复合　　总的带内松弛时间τin为　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　(10-8);其中τs一般为纳秒量级(约2 ns)，故有 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　(10-9) ;图10.3 　半导体能带中电子的四能级近似;　　 半导体激光器在阈值以下注入的电子主要是支持自发辐射复合和少量的非辐射复合，因而电子密度N随时间变化的速率方程为 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　(10-10) ;　　式中I为注入电流强度，在稳态条件下有　　　　，Va为正向偏压，e为电子电量。且有 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　(10-11) ;　　在谐振腔中，自发辐射对谐振腔起到 “种子”作用，自发辐射速率即为在一个光子存在时的受激辐射速率。自发辐射进入一个模的几率Tsp(ω)为 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　(10-12);　　式中nr为增益介质的相对折射率，ε0为真空中介电常数，ρcv是严格K选择(即电子和空穴的复合必须使它们所在能级的波数K值一一对应)下的联合态密度，即单位跃迁能量下电子-空穴对的密度，可表示为 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　(10-13)　　辐射复合寿命τr可以由Tsp(ω)得到 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　(10-14) ;第一节 概述 ;第一节 概述 ;第一节 概述 ;第二节 氨解反应基本原理 ;第二节 氨解反应基本原理 ;第二节 氨解反应基本原理 ;图10.4 τr与载流子密度和温度的关系;　　2. 非辐射复合　　 非辐射复合是载流子复合时以放出声子的形式来释放所产生的能量。 　　有两种重要的带间俄歇复合，即CCHC和CHHS，如图10.5所示。 ;图10.5 带间俄歇复合;10.1.4 PN结的能带结构　　当P型半导体和N型半导体相互接触时，在其交接面处便形成PN结。　　1. 同质PN结的能带结构　　在一块半导体晶体中掺入施主杂质，形成N型半导体。在平衡状态下，由于载流子浓度梯度存在，P区和N区费米能级最终达到相同的水平，形成平衡状态的同质PN结能带结构，如图10.6所示。 ;图10.6 同质PN结能带结构;　　2. 异质结的能带结构　　1) 突变异型