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- 2023-11-29 发布于四川
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本发明公开了一种天然超结GaNHEMT器件及其制备方法，器件较传统设计在GaN沟道层下方引入背势垒层形成双异质结结构，势垒层与沟道层界面、沟道层与背势垒层界面分别产生2DEG、2DHG，类似天然超结结构。结合与2DHG形成欧姆接触的体电极，当器件关断时，漏电极加高电压，2DEG、2DHG先通过垂直方向的电场同时耗尽，无需增加额外场板，器件耐压在原基础上叠加了垂直分量而得到提升。由背势垒层AlGaN/沟道层GaN/势垒层AlGaN构成了p‑i‑n二极管，该寄生体pin二极管可用于反向导通，利于降
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117133806 A
(43)申请公布日 2023.11.28
(21)申请号 202311374634.9
(22)申请日 2023.10.23
(71)申请人 成都功成半导体有限公司
地址 6
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