一种通过Zn掺杂提高Na3Zr2-xZnxSi2PO12晶相纯度及其钠离子电导率的方法.pdfVIP

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2023-11-29 发布于四川
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一种通过Zn掺杂提高Na3Zr2-xZnxSi2PO12晶相纯度及其钠离子电导率的方法.pdf

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本发明提供一种通过Zn掺杂提高Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相纯度及其钠离子电导率的方法，属于晶体生长和固溶体制备技术领域。将氧化锌或者硝酸锌等不引入杂质元素的掺杂剂掺入Na3Zr2‑xZnxSi2PO12前驱体，晶体生长时Zn进入Na3Zr2‑xZnxSi2PO12的八面体空隙，同时抑制Na源和P源的挥发损失，提高Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相的含量。本发明通过Zn取代Zr进入Na3Zr2‑xZnxSi2PO12的八面体空隙，同时抑制Na源和P源的挥发损失，可显著减少ZrO2

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117127245 A (43)申请公布日 2023.11.28 (21)申请号 202311105266.8 (22)申请日 2023.08.30 (71)申请人齐鲁工业