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- 约8.3万字
- 约 62页
- 2023-12-01 发布于江西
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单位代码: 10293 密 级:
硕 士 学 位 论 文
论文题目: 收发一体氮化镓光电子融合集成芯片研究
学 号 1019010328
姓 名 叶子琪
导 师 王永进
学 科 专 业 通信与信息系统
研 究 方 向 可见光通信
申请学位类别 工学硕士
论文提交日期 二零二二年四月
万方数据
Research on integrated transceiver GaN
optoelectronic integrated chip
Thesis Submitted to Nanjing University of Posts and
Telecommunications for the Degree of
Master of Science in Engineering
By
Ziqi Ye
Supervisor: Prof. YongjinWang
April 2022
万方数据
南京邮电大学学位论文原创性声明
本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。
尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过
的研究成果,也不包含为获得南京邮电大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。
与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。
本人学位论文及涉及相关资料若有不实,愿意承担一切相关的法律责任。
研究生学号:___________ 研究生签名:____________ 日期:____________
南京邮电大学学位论文使用授权声明
本人承诺所呈交的学位论文不涉及任何国家秘密,本人及导师为本论文的涉密责任并列
第一责任人。
本人授权南京邮电大学可以保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子文档;
允许论文被查阅和借阅;可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索;可以
采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编本学位论文。本文电子文档的内容和纸质论文
的内容相一致。论文的公布(包括刊登)授权南京邮电大学研究生院办理。
非国家秘密类涉密学位论文在解密后适用本授权书。
研究生签名:____________ 导师签名:____________ 日期:_____________
万方数据
摘要
得益于二十世纪九十年代宽带隙复合半导体材料生长及掺杂技术取得的突破性进展,近
年来,基于III 族氮化物的有源与无源器件已经得到了很好的发展,如氮化镓发光二极管、氮
化镓激光二极管、氮化镓基光电探测器、HEMT 、低损耗波导等,尤其是基于氮化镓的蓝光
LED 和HEMT 的发展已经进入了商业化阶段。随着氮化镓分立器件的技术越来越成熟,种类
越来越多样,实现高效稳定的、可扩展功能的基于氮化镓材料的光电集成芯片成为了可能。
相比于硅半导体材料,氮化物半导体材料更能满足高速、大功率、小体积、热稳定性好的电
子市场需求。因此,基于氮化镓材料的光电集成芯片将是弥补硅基半导体集成芯片的不足的
最佳选择。
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