《半导体器件原理与工艺》(器件)3.pptVIP

********************************************************开关特性-4大信号等效电路短沟道效应沟道长度缩短所带来的问题是，可能出现与长沟道效应，即按经典的长沟道理论预示的特性的偏离，这些偏离就是短沟道效应。一般来说，沟道长度和源漏耗尽区宽度可以比拟，或沟通宽度与栅下表面耗尽区厚度可以比拟时出现短沟通效应。短沟道效应-1短窄沟效应电荷分享原理交界区的电离受主电荷一部分属于表面耗尽区，另一部分属于源漏耗尽区。短沟道效应-2电荷分享原理定义：短沟道效应-3窄沟道效应迁移率调制效应短沟MOSFET实际测量的共源输出特性与长沟特性相比，显示出以下偏离：饱和漏源电压及饱和漏电流都小于长沟理论预示值。IDsat与(VGS-VT)间不呈现平方律关系，而近似是线性变化关系，饱和区跨导近似等于常数。明显的不完全饱和，沟道长度愈短．饱和区漏源电导愈大。迁移率调制效应-1沟道载流子迁移率随垂直于Si／SiO2界面方向电场强度的变化而改变。电场愈强,则反型载流子愈加贴近表面，表面散射增强，因而有效迁移率下降。迁移率调制效应-2考虑迁移率调制效应的电流迁移率调制效应-3仅考虑水平电场作用下，利