半导体物理学教学课件电子教案全套课件.pptx

半导体物理学;●半导体的晶体结构和电子状态;本课程主要内容(2);主要中文参考书;主要英文参考书;前言;一、什么是半导体？;●电阻率

导体：ρ＜10-3Ωcm例如：ρCu~10-6Ωcm

半导体：10-2Ωcm＜ρ＜109Ωcm

ρGe=0.2Ωcm

绝缘体：ρ＞109Ωcm;T;●电子激发能隙

导体：Eg~0例如：Eg(Cu)~0eV

绝缘体：Eg?3eV例如：Eg(SiO2)=8.0eV

半导体：0?Eg?3eV例如：Eg(Si)=1.12eV

;例外;二、半导体材料的分类;按组成分：;1.无机半导体晶体材料;Ge;化合物

半导体;★过渡金属氧化物半导体：有ZnO、SnO2、V2O5、Cr2O3、Mn2O3、FeO、CoO、NiO等。

★尖晶石型化合物（磁性半导体）：主要有CdCr2S4、CdCr2Se4、HgCr2S4等。

★稀土氧、硫、硒、碲化合物：有EuO、EuS、EuSe、EuTe等。;(1)非晶Si、非晶Ge以及非晶Te、Se元素半

导体

(2)化合物有GeTe、As2Te3、Se4Te、

Se2As3、As2SeTe非晶半导体;有机半导体;三、半导体材料的地位;四、半导体的发展;

1874年F.Braun

金属－半导体接触

;第一个点接触式的晶体管(transistor);1955年德国西门子

氢还原三氯硅烷法

制得高纯硅;1963年

用液相外延法生长

砷化镓外延层，

半导体激光器;分子束外延MBE;几种主要半导体的发展现状与趋势;Si单晶;●GaAs和InP单晶;●研制直径3英寸以上大直径的InP单晶的关键技术尚未完全突破，价格居高不下。;●半导体超晶格、量子阱;目前硅基材料研究的主流：

GeSi/Si应变层超晶格材料?新一代移动通信。;●一维量子线、零维量子点;****年，俄德联合小组首先研制成功

InAs/GaAs量子点材料，

1996年，量子点激光器室温连续输出功率达

1W，阈值电流密度为290A/cm2，

1998年，量子点激光器室温连续输出功率达

1.5W。;****年初，中科院半导体所研制成功室温

双面CW输出3.62W、工作波

长为960nm左右的量子点激

光器，为目前国际报道的最好

结果之一。;1998年，Yauo等人采用0.25mm工艺技术

实现了128Mb的单电子存储器原

型样机的制造，这是单电子器件

在高密度存储电路的???用方面迈

出的关键一步。;●宽带隙半导体材料;●高频大功率、耐高温、抗辐射半导体微电子

器件和电路的理想材料

●通信、汽车、航空、航天、石油开采及国防;Ｃｒｅｅ公司6Ｈ-、4Ｈ-ＳｉＣ单晶尺寸随年度的变化;第八章金属和半导体的接触;上式表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空中所需要的最小值。;在半导体中，导带底EC和价带顶EV

一般都比E0低几个电子伏特。;2.接触电势差;D;平衡时,无电子的净流动.相对于(EF)m,半导体的(EF)s下降了

;?;接触电势差一部分降落在空间电荷区,另一

部分降落在金属和半导体表面之间;;半导体一边的势垒高度;?半导体表面形成一个正的空间电荷区

?电场方向由体内指向表面(Vs0)

?半导体表面电子的能量高于体内的，能

带向上弯曲，即形成表面势垒;WmWs;;能带向下弯曲,造成空穴的势垒,

形成p型阻挡层;Wm;形成n型和p型阻挡层的条件;3.表面态对接触势垒的影响;表面态分施主表面态和受主表面态，在半导体

表面禁带中形成一定的分布，存在一个距价带

顶为q?0的能级;存在受主表面态时n型半导体的能带图;若表面态密度很大，只要EF比q?0高一点，

表面上就会积累很多负电荷，能带上弯;高表面态密度时，势垒高度;有表面态，即使不与金属接触，表面也形成势垒，

半导体的功函数（形成电子势垒时）;表面受主态密度很高的n型半导体与金属接触能带图;金和半接触时,当半导体的表面态密度很高时;表面受主态密度很高的n型半导体与金属接触能带图;半导体的势垒高度