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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN101814450A*
*CN101814450A*
(12)发明专利申请
CN101814450A
(10)申请公布号CN101814450A
(43)申请公布日2010.08.25
(21)申请号201010164930.2
(22)申请日2010.04.29
(71)申请人上海宏力半导体制造有限公司
地址201203上海市张江高科技园区郭守敬
路818号
(72)发明人傅荣颢刘玮荪
(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务
所(普通合伙)31237
代理人郑玮
(51)Int.Cl.
H01L21/66(2006.01)
权利要求书1页说明书4页附图3页
(54)发明名称
晶圆背面金属层附着力的检测方法
(57)摘要
本发明的晶圆背面金属层附着力的检测方法
包括以下步骤:步骤1,分别在晶圆样品的正面和
背面上淀积金属层;步骤2,在正面和背面均淀积
有金属层的晶圆样品中选择芯粒作被测样品,分
别在所述被测样品的正面和背面上焊接引线;步
骤3,用拉力计拉所述被测样品背面的引线,并记
录所述被测样品拉断前的拉力值;步骤4,对所述
被测样品的断层位置进行分析。本发明的晶圆背
面金属层附着力的检测方法能定量测量出晶圆背
面金属层附着力的大小,且检测方法简单、成本
低。
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CN101814450A权利要求书
CN101814453A1/1页
1.一种晶圆背面金属层附着力的检测方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1,分别在晶圆样品的正面和背面上淀积金属层;
步骤2,在正面和背面均淀积有金属层的晶圆样品中选择芯粒作被测样品,分别在所述
被测样品的正面和背面上焊接引线;
步骤3,用拉力计拉所述被测样品背面的引线,并记录所述被测样品拉断前的拉力值;
步骤4,对所述被测样品的断层位置进行分析。
2.如权利要求1所述的晶圆背面金属层附着力的检测方法,其特征在于,所述步骤1中
的金属层为一种金属薄膜形成的单金属层。
3.如权利要求1所述的晶圆背面金属层附着力的检测方法,其特征在于,所述步骤1中
的金属层为多种金属薄膜组成的复合金属层。
4.如权利要求1所述的晶圆背面金属层附着力的检测方法,其特征在于,所述步骤2中
采用电烙铁分别在所述被测样品的正面和背面的金属层上涂布焊锡,利用焊锡将所述引线
焊接到所述金属层上。
5.如权利要求1或4所述的晶圆背面金属层附着力的检测方法,其特征在于,所述引线
为铜引线。
6.如权利要求2所述的晶圆背面金属层附着力的检测方法,其特征在于,所述步骤4
中,若所述被测样品的断层位置在晶圆材料上,则表明晶圆背面金属层与晶圆表面之间的
附着力非常理想;若所述被测样品的断层位置在晶圆材料与金属层之间,则表明晶圆背面
金属层与晶圆表面之间的附着力有待优化,所述拉力计测得的所述被测样品拉断前的拉力
值等于晶圆背面金属层与晶圆表面之间附着力的大小。
7.如权利要求3所述的晶圆背面金属层附着力的检测方法,其特征在于,所述步骤
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