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第一章习题
设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量E(k)和价带极大值附近
c
能量E(k)分别为：
V
h2k2 h2(k?k
)2 h2k2
3h2k2
E= ?
1 ,E (k)? 1?
c 3m
0
m V 6m m
0 0 0
?
m 为电子惯性质量，k ?
0 1
,a?0.314nm。试求：
a
（1）禁带宽度;
导带底电子有效质量;
价带顶电子有效质量;
价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：（1）
导带：
1由2?2k?2?2(k?k)?0
1
3m m
0 0
得：k?3k
4 1
d2E
又因为： c
?2?2?2?2?8?2?0
dk2
3m m 3m
0 0 0
所以：在k?
价带：
3k处，Ec取极小值
4
VdE ??6?2k?0得k?0
V
dk m
0
d2E
6?2
又因为
V ?? ?0,所以k?0处，E
取极大值
dk2 m
0
3
V
?2k2
因此：E
g
?E ( k
C 4 1
)?E
V
(0)?
1
12m
?0.64eV
0
(2)m* ?
nC
?2
?2
d2E
C
dk2
k?4k1
?3m
8 0
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(3)m* ? ?2 ??m
0
nV d2E
V
dk2
6
k?0
1
(4)准动量的定义：p??k
3
所以：?p?(?k)
3k?k
3
?(?k)
k?0
?? k
4 1
?0?7.95?10?25N/s
41
晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。
解：根据：f?qE?h?k 得?t?
?t
??k
qE
?t ?
1
?t ?
2
?(0??)
a
?1.6?10?19?102
?(0??)
a
?1.6?10?19?107
?8.27?10?8s
?8.27?10?13s
补充题1
分别计算Si（100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度
（提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图）
Si在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图1所示：
（a）(100)晶面 （b）(110)晶面
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（c）(111)晶面
1?4?1
（100）： 4?
2 2? ?6.78?1014atom/cm
2 2
a2
2?4?1
a2
?2?1
(5.43?10?8)2
（110）：
4 2? 4 ?9.59?1014atom/cm2
2a?a 2a2
4?1
（111）： 4
?2?1
2
?2
4? ?7.83?1014atom/cm2
4
?3 3a2
?
a 2a
2
补充题2
一维晶体的电子能带可写为E（k)?
2
ma2
(7?coska?1cos2ka)，
8 8
式中a为晶格常数，试求
布里渊区边界；
能带宽度；
电子在波矢k状态时的速度；
能带底部电子的有效质量m*；
n
能带顶部空穴的有效质量m*
p
dE(k)
解：（1）由
?0 得k?n?
dk a
（n=0，?1，?2…）
进一步分析k?(2n?1)?
a
，E（k）有极大值，
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E（k)
MAX
?
?2?2
ma2
k?2n
时，E（k）有极小值
a
?
所以布里渊区边界为k?(2n?1)
a
能带宽度为E（k)
MAX
E(k)
MIN
?2?2
ma2
(3）电子在波矢k状态的速度v?
电子的有效质量
?2 m
1dE?? (sinka?1sin2ka)
?dk ma 4
m*?
n
?
d2E 1(coska? cos2ka
d2E 1
dk2 2
2n?
能带底部k?
所以m*
a n
(2n?1)?
?2m
(5)能带顶部k? ，
a
且m*
p
??m*，
n
2m
所以能带顶部空穴的有效质量m*?
p
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