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半导体湿式清洗设备
湿式清洗
．晶圆洗净的目的
－主要清除晶圆表面的脏污，如微粒(Particle)、有机物(Organic)及金属离子等杂质，此外如 Gateoxide层的微粗糙(Micro-roughness)及自然氧化物(NativeOxide)清除亦在洗净制程的范畴
．效果包含
－芯片清洗
－蚀刻
－Lift-off
污染源对电子组件的影响
影响洗净效果的因素
．洗净制程的化学配方(Recipe)
．洗净程序(Sequence)
．除湿干燥的技术
配方与洗净目标
．化学配方与洗净目标，RCA-recipe
1.微粒与污染源微粒来源
．微粒来源
－来自洗净用的去离子纯水(DIwater)，化学品(Chemicals)及气体(Gases)或其它制程遗留的杂质或洁净室中所沾染的dust
．微粒附着于晶圆表面所受的吸附力
－Electrostaticforce
－VarderWalsforce
－Capillaryforce
－Chemicalbond
－Surfacetopographyforce微粒去除的机制
微粒去除的机制
．超音波振荡器去除微粒的过程
金属杂质
．来源–洗净材料的化学品，纯水、气体的金属杂质及制程所引发的，如离子植入，RIE干蚀刻、光阻去灰等
．金属杂质含量需在1010atom/cm2以下，方可确保电子组件的品质及良率有机污染源
．有机污染源
－来自光阻残留物、晶舟、晶盒及洁净室环境的建材，如油漆，机台等
．污染源造成
－阻绝洗净的效果，或阻绝离子化学蚀刻形成蚀刻不良
－对Gateoxide的厚度均匀性与Breakdownvoltage2.光阻与配方
光阻去除溶液
．主要光阻去除溶液
－CaroCleanorPiranhaClean
(SPM,H2SO4:H2O2=4:1@110oC~130oC)
缺点:H2O2不易维持稳定浓度
－H2SO4+O3
O3易含有重金属，需经纯化处理
－ChilledDI+O3
利用O3分解的氧原子和有机光阻反应，可免H2SO4使用，低残留硫含量自然氧化物
．晶圆表面因曝露在空氧中或浸泡在纯水中，造成表面的氧化，约5~10A厚度，或在化学洗净过程中，接触强氧化剂，如H2O2而在表面生成一层氧化物
．影响
－对Gateoxide的厚度均匀性与Breakdownvoltage自然氧化物的去除
．DHF-Last–在最后一站浸入(100:1DHF)中，以去除NativeOxide
．HF+H2O2(FPM-Last)–在最后一站，浸入FPM混合液(0.5%HF+10%H2O2)溶液中，HF去除Oxide，H2O2去除金属杂质
．HF+IPA(HF/IPA-Last)–在最后一站，浸入(0.5%HF+IPA1000ppm)溶液中，HF去除Oxide，IPA去除微粒
．HFVapor–将晶圆放入蒸气室中，将其抽成真空后，利用氮气作为载气，通入HFVapor，可去除Oxide
表面微粗糙度
．化学药剂的使用是影响表面粗糙度的主因:
－浓度比例
－温度
－浸泡时间
－洗净制程以SC1洗净影响最大，可达Ra=0.6nm
－蚀刻制程以ConventionalBHF影响最大，可达Ra=0.9nm湿式洗净技术
．RCA-Clean配方
－去除微粒，金属杂质及有机污染
－应用于空白芯片进入炉管长Oxide前之清洗RCA-Clean配方
．RCA-cleanisthefirstdevelopedcleaningprocessforbareandoxidizedsiliconwafer
．ProcesswasintroducedtoRCAdevicefabricationcenterin1965andreleasedin1970
．Chemicalprinciples:
－H2O2athighpHconditionisapowerfuloxidant
－NH4OHisastrongcomplexantformetallicimpurities
－HClinH2O2formssolubleAlkaliandmetalsalts
－MixturesformulatednottoattackSiorSiO2湿式洗净配方
．ModifiedRCA-Clean–加上清除光阻及有机物能力，增加硫酸清洗， 如SPM/SOM(SPM=H2SO4+H2O2,SOM=H2SO4
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