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2023-12-06 发布于四川
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一种RC-IGBT及其制造方法.pdf

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本发明涉及一种RC‑IGBT及其制造方法，RC‑IGBT包括IGBT区域、二极管区域和N型漂移层。二极管区域设置有P型发射极区和N型柱状区。若干个P型发射极区与金属接触以形成第一接触面，使得在二极管区域导通的情况下，P型发射极区向N型漂移层注入少子空穴参与导电。若干个N型柱状区与金属接触以形成第二接触面，使得在二极管区域导通的情况下，N型柱状区不向N型漂移层注入少子空穴。本发明的RC‑IGBT结构的反向恢复电流减小，有效降低了RC‑IGBT的开启功耗。本发明能够根据不同的导通损耗和开关损耗要求，

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117174712A

(43)申请公布日2023.12.05

(21)申请号202311377284.1

(22)申请日2023.10.20

(71)申请人成都森未科技有限

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