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本申请提供一种外延结构及其制备方法、半导体器件。外延结构包括硅衬底及外延层。外延层包括设于硅衬底一侧的超晶格缓冲层，超晶格缓冲层包括交替间隔的多层BN膜层和多层ALGaN膜层。上述外延结构，通过将超晶格缓冲层设置为交替间隔的多层BN膜层和多层ALGaN膜层，相较于采用交替间隔的AlN膜层和ALGaN膜层形成的超晶格缓冲层而言，BN膜层可为后续生长的其它外延膜层提供较大压应力来尽可能较大程度抵消硅衬底对外延层带来的张应力，从而使整个外延层趋于平整或者略微凸起的状态，这样更有利于外延层生长的工艺控制
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117199126A
(43)申请公布日2023.12.08
(21)申请号202311132866.3
(22)申请日2023.09.04
(71)申请人英诺赛科（苏州）半导体有限公司
地
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