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- 2023-12-09 发布于四川
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本申请公开了氮化镓发光二极管或激光二极管外延晶圆及其制备方法，该方法包括：在衬底上，依次外延生长一层NbNx牺牲层、一层GaNLED或GaNLD外延层和一层UIDGaN隔离层；以NbNx牺牲层、GaNLED或GaNLD外延层和UIDGaN隔离层为一个整体，在衬底上进行多次重复外延生长，在衬底上形成第一外延结构以得到第一GaNLED或GaNLD外延晶圆，第一外延结构的最上端无UIDGaN隔离层。可见，第一GaNLED或GaNLD外延晶圆达到一次生长且多次使用的效果，以便做出成
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117199200A
(43)申请公布日2023.12.08
(21)申请号202311248478.1H01S5/343(2006.01)
(22)申请日2023.09.
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