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2023-12-09 发布于四川
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改善分立器件翘曲度的方法.pdf

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本申请公开一种改善分立器件翘曲度的方法，其中改善分立器件翘曲度的方法包括：在半导体器件最顶层沉积ILD膜层，采用CMP工艺将ILD膜层磨平；在半导体器件的正面和背面分别形成多晶硅应力层，沉积所述多晶硅应力层的温度范围包括500℃~600℃，所述多晶硅应力层用于向所述半导体器件施加应力，以减小所述半导体器件的翘曲度；去除位于所述半导体器件正面的多晶硅应力层；形成接触孔，后续不包含热退火工艺。本申请能够采用相对简单的工艺在半导体器件背面形成多晶硅应力层，使多晶硅应力层在背面向半导体器件施加张应力，以

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117198862A

(43)申请公布日2023.12.08

(21)申请号202311453729.X

(22)申请日2023.11.03

(71)申请人粤芯半导体技术股份有限公司

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